High Power In~0~.~4~9Ga~0~.~5~1P/In~0~.~1~5Ga~0~.~8~5As Heterostructure Doped-Channel FETs

• Autores: H. H. Lin, H. C. Chiu, S. C. Yang, Y. J. Chan
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 10, 2001, págs. 1312-1317
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)