Formation of Reliable Pb(Ti, Zr)O~3 Thin-Film Capacitors for Read/Write Endurance of Ferroelectric Non-volatile Memories

• Autores: A. Nishimura, K. Aoki, Y. Fukuda, K. Numata
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 81, Nº 4, 1998, pág. 537
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)