Wide-Band CDMA Distortion Characteristics of an AlGaAs/InGaAs/AlGaAs Heterojunction FET under Various Quiescent Drain Current Operations

• Autores: G. Hau, T. B. Nishimura, N. Iwata
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 82, Nº 11, 1999, págs. 1928-1935
• Idioma: inglés
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