Chemical Beam Epitaxy Grown Carbon-Doped Base InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor Technology for Millimeter-Wave Applications

• Autores: J. Song
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 1, 2000, págs. 115-121
• Idioma: inglés
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