Growth of 100-mm-Diameter AlGaN/GaN Heterostructures on Sapphire Substrates by MOVPE

• Autores: T. Egawa, T. Jimbo, Motoshi Tanaka, M. Miyoshi, M. Sakai, H. Ishikawa
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 86, Nº 10, 2003, pág. 2077
• Idioma: inglés
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