High-Quality AlGaN/GaN HEMTs on Epitaxial AlN/Sapphire Templates

• Autores: H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, T. Shibata, Motoshi Tanaka, M. Sakai, K. I. Asano, S. Arulkumaran
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 86, Nº 10, 2003, pág. 2071
• Idioma: inglés
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