A 0.24 mum PRAM Cell Technology Using N-Doped GeSbTe Films

• Autores: B. J. Kuh, H. Horii, J. H. Park, J. H. Yi
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 10, 2004, pág. 1673
• Idioma: inglés
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