A New Method for the Determination of the Extrinsic Resistances of MESFETs and HEMTs from the Measured S-Parameters under Active Bias

• Autores: J. Lim, B. Kim, S. Nam
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 85, Nº 3, 2002, págs. 839-846
• Idioma: inglés
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