Two-DImensional Simulation of Electric Field and Carrier Concentration of Low-Temperature N-Channel Poly-Si LDD TFTs

• Autores: Y. Nogami, T. Satoh, H. Tango
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 90, Nº 5, 2007, págs. 983-987
• Idioma: inglés
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