Simulation Study of a Novel Collector-up npn InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor with a p-Type Doping Buried Layer for Current Confinement

• Autores: H. Hsu, Y. Hsin
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 90, Nº 1, 2007, págs. 171-178
• Idioma: inglés
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