High Power GaAs Heterojunction FET with Dual Field-Modulating-Plates for 28 V Operated W-CDMA Base Station

• Autores: K. Ishikura
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 90, Nº 5, 2007, págs. 923-928
• Idioma: inglés
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