Characterization and Modeling of Gate-Induced-Drain-Leakage

• Autores: F. Agut, M. Minondo, A. Juge, P. Masson, R. Bouchakour, F. Gilibert, D. Rideau, A. Dray
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 5, 2005, pág. 829
• Idioma: inglés
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