Determining GaInP/GaAs HBT Device Structure by DC Measurements on a Two-Emitter HBT Device and High Frequency Transit Time Measurements

• Autores: C. Meng, B. C. Tsou, S. C. Tseng
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 6, 2005, pág. 1127
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)