A 130-nm CMOS 95-mm^2 1-Gb Multilevel AG-AND-Type Flash Memory with 10-MB/s Programming Throughput

• Autores: Y. Sasago, T. Arigane, Keiji Yoshida, Y. Takase, T. Yoshitake, O. Tsuchiya, H. Kurata, K. Saeki, T. Kobayashi
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 10, 2006, págs. 1469-1479
• Idioma: inglés
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