Ultrathin HfO~xN~y Gate Insulator Formation by Electron Cyclotron Resonance Ar/N~2 Plasma Nitridation of HfO~2 Thin Films

• Autores: S. I. Ohmi, T. Kurose
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 5, 2006, pág. 596
• Idioma: inglés
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