Hemos analizado la espectroscopía Raman del grafeno monocapa y del grafi to pirolítico altamente orientado (HOPG), enfocándonos en el origen de las bandas 2G. En el espectro Raman se observan dos sobretonos a 3078 cm-1 y 3245 cm-1, correspondientes al fonón con simetría E2g. Las bandas G y 2D en el grafi to y en el grafeno monocapa cambian en intensidad relativa, en forma y en el ancho de línea, en buen acuerdo con los trabajos reportados recientemente. Existe un corrimiento de la posición de la banda 2D simple del grafeno con respecto a la posición de la componente 2D1 de la banda 2D doble del grafi to. También hemos estudiado el acoplamiento electrón fonón a partir del ancho de línea de la banda G y de la curva de dispersión del grafeno calculada con teoría de funcional de la densidad (DFT) en la aproximación de gradientes generalizados (GGA).
We have analyzed the Raman spectroscopy of graphene monolayer and highly oriented pyrolytic graphite (HOPG), focusing on the origin of the bands 2G.
Th e Raman spectrum shows two overtones at 3078 cm-1 and 3245 cm-1 for phonons with symmetry E2g. Th e G and 2D bands in graphite and graphene monolayer change their relative intensity, shape and linewidth in good agreement with recently reported works. Th ere is a shift between the position of the simple 2D band for graphene and the position of the 2D1 component of double 2D band for graphite. We have also studied the electron-phonon coupling from the G linewidth and from the dispersion curve of graphene obtained with density functional theory (DFT) in the generalized gradient approximation (GGA).
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