Resumen de Resistividad eléctrica y Efecto Hall en películas delgadas de ZnO depositadas por evaporación reactiva

Fredy Giovanni Mesa Rodríguez, Carlos Andrés Arredondo Orozco

• español

  La investigación del presente trabajo muestra que el parámetro de mayor influencia sobre la figura de mérito de películas delgadas de ZnO depositadas por el método de evaporación reactiva, es el contenido de oxigeno en la cámara de preparación. Se establece que la mejor figura de mérito está definida en términos de resistividad y de transmitancia espectral, con contenido de oxigeno correspondiente a una presión parcial de 0.3 mbar. La muestras presentan simultáneamente alta transmisión (>80%) y conductividad (>103 W-1cm-1) adecuadas para ser usadas como contacto eléctrico transparente en celdas solares. El especial énfasis esta dedicado a la determinación de la resistividad eléctrica y concentración de portadores de carga a través del método de van der Pauw.

• English

  In this work, results about theconcerning of the most influential parameter on the figure of merit of ZnO thin films deposited by the reactive evaporation method are showed. This parameter is the content of oxygen in the preparation chamber.

  It was established that the best figure of merit defined in terms resistivity and the transmittance, is achieved for oxygen contents corresponding to a partial pressure of around 0.3 mbar. This samples present simultaneously high transmission (>80%) and high conductivity (>103 (Ùcm)�1), which make them adequate for being used as transparent electric contact in thin film solar cells. Special emphasis was devoted to the determination of the electrical resistivity and carrier density by van der Pauw method.