Síntesis y estudio del efecto del sustrato sobre las propiedades morfológicas de películas delgadas de Silicio intrínseco

• Autores: Anderson Dussan Cuenca, Fredy Giovanni Mesa Rodríguez, Camilo Hidalgo
• Localización: Avances: Investigacion en Ingeniería, ISSN-e 2619-6581, ISSN 1794-4953, Vol. 1, Nº. 13 (Julio - Diciembre), 2010, págs. 26-34
• Idioma: español
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    En este trabajo se presenta un estudio detallado de la morfología de películas delgadas de silicio microcristalino (mc-Si) intrínseco depositado sobre diferentes sustratos: vidrio Corning 7059, acero inoxidable, Si monocristalino con crecimiento en el plano (111). Las muestras de Si fueron preparadas por el método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD). La morfología fue estudiada a partir de medidas de Microscopía de Fuerza Atómica (AFM) realizadas a temperatura ambiente y presión atmosférica. Se evidenció que las muestras de Si depositadas sobre acero inoxidable presentan regiones marcadas por fisuras presentes en el sustrato en comparación con las muestras depositadas sobre los otros sustratos. Se observó que un crecimiento en forma de ramal, influencia la nucleación de los granos cuando el Si se deposita sobre Si monocristalino.

    Se obtuvo un valor para el tamaño de grano menor a los 10 nm en todas las muestras y una rugosidad dependiente del sustrato que varió entre 400 y 750 nm.

  • English

    In this work, microcrystalline Si intrinsic surfaces has been grown on substrate Corning glass 7059, steel and typical wafers c-Si exhibiting (111) preferential orientation.

    Microcrystalline silicon samples were prepared from plasma enhanced chemical vapor method (PECVD). Mofology was studied by Atomic Force Microscopy (AFM). Samples Si deposited on steel revealed regions characterized interacting with surface and/or subsurface and edges presents on substrate. A preferred growth in ramal form of Si intrinsic was found firstly in Silicon films on typical wafers c-Si substrate.

    Typical c-Si has grain sizes of 100 ìm whereas Si on substrates contains much smaller crystallites with grains sizes closer to 10nm. The nature of the growing roughness of the deposited Si was well characterized by varing between 400 and 750 nm.