Preparación de materiales fotocatalizadores basados en Bi4Ti3O12 dopados con metales de transición

• Autores: D.G. Calatayud, M. Rodríguez, B. Gallego, Daniel Fernández Hevia, Teresa Jardiel
• Localización: Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, ISSN 0366-3175, Vol. 51, Nº. 1, 2012, págs. 55-60
• Idioma: español
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• Resumen

  • La producción de hidrógeno a partir de agua mediante el empleo de semiconductores cerámicos con propiedades fotocatalíticas ha adquirido especial relevancia en los últimos años, debido a su potencial uso para la obtención de hidrógeno de un modo directo y limpio. En la búsqueda de nuevos materiales que presenten propiedades fotocatalíticas en la región visible del espectro solar, el dopado con metales de transición ha demostrado ser un método eficaz de adecuar los valores de band gap del semiconductor. En este trabajo se aborda el estudio del efecto de la adición de distintos dopantes (Fe, Ni, Cr, Mn, Co, Cu) sobre la estructura y valor de band gap del Bi4Ti3O12, con el objetivo de mejorar su actividad fotocatalítica y hacerlo activo en el visible. En este sentido se han preparado materiales dopados basados en BIT por procesamiento en estado sólido, obteniéndose distintas proporciones de una fase adicional con estructura tipo silenita, Bi12TiO20. Como consecuencia del dopado se produce un desplazamiento de los espectros de absorción a mayores longitudes de onda, y por tanto a menores valores del band gap. Los valores obtenidos de los band gaps son bastante prometedores para muchas de las composiciones, promoviendo el estudio de sus propiedades fotocatalíticas.