Un estudio teórico de la estructura electrónica y las propiedades dieléctricas de B-Nb2O5

• Autores: Camilo Valencia Balvín, Santiago Pérez Walton, Jorge M. Osorio Guillén
• Localización: TecnoLógicas, ISSN-e 2256-5337, ISSN 0123-7799, Nº. 27, 2011, págs. 103-117
• Idioma: español
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    En este trabajo hemos investigado teoricamente las propiedades electronicas y opticas del oxido de niobio Nb2O5 para una de sus fases cristalinas, a saber la fase B. Usamos la Teoria de los Funcionales de la Densidad junto con la Aproximacion del Gradiente Generalizado con uno de sus nuevos funcionales disenado para solidos: PBEsol. La banda prohibida calculada es indirecta (Eg = 2,54 eV), con el maximo de la banda de valencia localizado en y el minimo de la banda de conduccion en ( . ,1/3,1/3). Tambien calculamos la parte real e imaginaria del tensor dielectrico, el indice de refraccion, la reflectividad, la transmitancia y la parte real de la conductividad optica. El valor calculado del indice de refraccion es 2,52, que esta en buena correspondencia con el valor experimental de 2,64.

  • English

    In this work we have investigated theoretically the electronic and optical properties of niobium-oxide Nb2O5 for one of its crystalline phases, namely the B-phase. We have used Density Functional Theory along with the Generalized Gradient Approximation with one of its new modified functional targeted for solids: PBEsol. The calculated band gap is indirect (Eg=2,54 eV), with the valence band maximum located at and the conduction band minimum located at ( ./3,1/3,1/3). We present also the calculated real and imaginary part of the dielectric tensor, the index of refraction, the reflectivity, the transmittance and the real part of the optical conductivity. The calculated value of the index of refraction is 2,52, which is in good agreement with the experimental value of 2,64.