Electrical properties of resistive switches based on Ba1-xSrxTiO3 thin films prepared by RF co-sputtering

• Autores: A. Márquez Herrera, E. Hernández Rodríguez, M.P. Cruz, O. Calzadilla Amaya, M. Meléndez-Lira
• Localización: Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 56, Nº. 5, 2010, págs. 401-405
• Idioma: inglés
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• Resumen
  • español

    En este trabajo, se propone el uso de películas delgadas de [ fórmula ] para la construcción de heteroestructuras metal-aislante-metal (MIM por sus siglas en inglés) y se muestra el gran potencial que poseen para el desarrollo de memorias no volátiles resistivas (ReRAM). El depósito de las películas de [ fórmula ] se hizo mediante la técnica de rf-sputtering usando dos cañones tipo magnetrón con blancos de BaTiO3 y SrTiO3, respectivamente. La composición química de las películas (parámetro x) fue variado a través de la potencia aplicada a cada uno de los blancos. Las heteroestructuras depositadas fueron [ fórmula ] . Las pruebas I-V de la heteroestructuras mostraron que es posible cambiar su comportamiento eléctrico mediante la variación de la proporción Ba/Sr presente la película [ fórmula ] ; la proporción Ba/Sr fue determinada por espectroscopia de energía dispersada. Las micrografías obtenidas mediante un microscopio electrónico de barrido mostraron que las películas son uniformes y no presentan fracturas ni huecos. Por otra parte, la caracterización de las películas por difracción de rayos x mostró la incorporación sustitucional del Sr en la red del BaTiO3 y la obtención de pelícuals cristalinas para todo el intervalo de valores de x.

  • English

    In this work, we propose the use of [ formule ] thin films for the construction of MIM (metal-insulator-metal) heterostructures; and their great potential for the development of non-volatile resistance memories (ReRAM) is shown. The deposition of [ formule] thin films was done by the rf co-sputtering technique using two magnetron sputtering cathodes with BaTiO3 and SrTiO3 targets. The chemical composition ( x parameter) in the deposited [ formule ] thin films was varied through the rf power applied to the targets. The constructed MIM heterostructures were [ formule ]. The I-V measurements of the heterostructures showed that their hysteretic characteristics change depending on the Ba/Sr ratio of the [ formule ] thin films; the BA/Sr ratio was determined by employing the energy dispersive spectroscopy; SEM micrographs showed that [ formule ] thin films were uniform without cracks or pinholes. Additionally, the analysis of the x-ray diffraction results indicated the substitutional incorporation of Sr into the BaTiO3, lattice and the obtainment of crystalline films for the entire range of the x values.