Estudios por impedancia eléctrica de nanoestructuras de ZnO

• Autores: David Alfredo Garzón Ramos, Eduardo Antonio Cano Plata, Carlos Vargas Hernández
• Localización: Scientia et Technica, ISSN 0122-1701, Vol. 18, Nº. 2, 2013, págs. 309-314
• Idioma: español
• Enlaces
  • Texto completo (pdf)
• Resumen

  • Se realizaron estudios estructurales y de impedancia eléctrica de nanoestructuras semiconductoras de ZnO, las partículas se encuentran sintetizadas en forma de polvo y películas en sustratos de vidrio. Se describe también el proceso de deposición de las películas a través del método SILAR, proceso que se deriva de la técnica CBD. El análisis XRD muestra tamaños de cristalito de hasta 100 , y coeficientes de texturas comprendidos entre 3.5 y 1.5 para las películas, además de encuentra influencia en la calidad de la película en respuesta al precursor de zinc empleado. La técnica de Espectroscopía de Impedancias indica que el polvo de ZnO compactado presenta un comportamiento altamente resistivo, con resistencia del orden 3.2x108O, llegando sugerir que el material tiende a comportarse como capacitivo puro.