Resumen de Caracterización de estructuras semiconductoras por microscopía de fuerzas de fricción
Las fuerzas laterales existentes entre una punta de un microscopio de fuerzas y la superficie de una muestra contienen información sobre propiedades de la misma. Las imágenes obtenidas por microscopía de fuerzas de fricción de intercararas semiconductoras y multipozos cuánticos demuestran que éstas pueden visualizarse con una resolución espacial de 3 nm. También se ha estimado la sensibilidad de esta técnica para caracterizar variaciones en composición al examinar una muestra de Inx Ga1-x As donde la proporción relativa entre el indio y el galio se cambió de forma discreta. Las imágenes obtenidas muestran que las fuerzas de fricción pueden detectar variaciones menores del 10% en la composición de indio. La resolución espacial y la sensibilidad composicional obtenidas subrayan el potencial de la microscopía de fuerzas de fricción para efectuar caracterizaciones simultaneas de la topografía y la composición relativa en muestras semiconductoras.
