Propiedades de transporte en el transistor "delta"-FET

• Autores: O. Oubram, L. Cisneros-Villalobos, L.M. Gaggero Sager, M. Abatal
• Localización: Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 60, Nº. 1, 2014, págs. 22-26
• Idioma: español
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• Resumen
  • español

    El transporte electrónico en el transistor "delta"-FET ha sido estudiado en GaAs. Se utiliza un modelo teórico del transporte basado en la estructura electrónica para calcular su movilidad y conductividad. Los resultados muestran que las propiedades eléctricas del "delta"-FET dependen de los parámetros intrínsecos del dispositivo (la posición del pozo delta dopado y la densidad del bulto) y de la magnitud del potencial del contacto. Tales resultados son útiles en aplicaciones con dispositivos insensibles a la temperatura.

  • English

    Electron transport in the "delta"-FET transistor has been studied in GaAs. A theoretical model of transport based on the electronic structure is used to calculate mobility and conductivity. Results show that the electrical properties of "delta"-FET depend on device intrinsic parameters (position of delta-doped quantum well, background density) and the magnitude of the voltage contact. Such results are useful in applications in temperature-intensitive devices.