Efectos de la presión hidrostática sobre la energía de enlace para impurezas donadoras en puntos cuánticos de gaas/ga al as.

• Autores: Walter Ospina M., Ricardo Restrepo A., Parménides Aristizabal U., Carlos A. Duque E.
• Localización: Scientia et Technica, ISSN 0122-1701, Vol. 4, Nº. 36, 2007, págs. 31-34
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Effects of the hydrostatic pressure on the binding energy of a shallow donor impurity in GaAs/Ga1-x Alx As quantum dots.
• Enlaces
  • Texto completo (pdf)
• Resumen
  • español

    Usando el método variacional y la aproximación de masa efectiva calculamos la energía de enlace de impurezas donadoras en puntos cuánticos de GaAs/Ga Al As 1-x x con geometría cúbica, para tres valores de la presión hidrostática externa. Presentamos los resultados en función de la posición de la impureza en las direcciones x, y z; de las diagonales en los planos x-z, x-y, y de una diagonal en la heteroestructura; además como función de la presión hidrostática externa en la dirección z.

    La energía de enlace disminuye conforme la impureza se acerca a las paredes de la heteroestructura y aumenta según lo hace la presión hidrostática externa.

  • English

    Using the variational method within the effective-mass approximation we calculated the binding energy of a shallow donor impurity in quantum dots GaAs/Ga1-x Alx As , with cubic geometry for three different applied values of the hydrostatic pressure. We present results as a function of the position of the donor impurity in the x and z directions, and in the x-z, x-y plane diagonal, and the heterostructure diagonal; moreover, as a function of the applied hydrostatic pressure applied in z direction.

    The binding energy decrease according to the impurity is near to the edge of the heterostructure and increase when hydrostatic pressure increase.