Resumen de Hall effect:: the role of nonequilibrium charge carriers

S. Molina Valdovinos, Yu. G. Gurevich

• español

  Presentamos un nuevo modelo del efecto Hall en el caso de semiconductores bipolares. Se toma en cuenta portadores fuera de equilibrio, procesos de genración y recombinación asistidos por trampas (modelo de Shockley-Read). Se obtienen expresiones para los potenciales electroquímicos de electrones y huecos, campo de Hall y constante de Hall T_(H). Estudiamos la dependencia de estas expresiones de la distribución de portadores a lo largo de la dirección del campo Hall, en el caso de semiconductores intrínsecos y extrínsecos.

• English

  A new model of the Hall effect in the case of a bipolar semiconductor is present. Taking into account the nonequilibrium carriers, thermal generation and recombination processes assisted by traps (Shockley-Read model), the expressions for the electrochemical potential of electrons and holes, Hall field and Hall constant R_(H) are obtained. The dependence of theses expressions of the distribution of the carriers along the direction of the Hall field in the case of intrinsic and extrinsic semiconductors is studied.