Structural and optical characterization of In_(x)Ga_(1-x)N nano-structured grown by chemical vapor deposition

• Autores: A. Ramos-Carrazco, E. Chaikina, O.E. Contreras, M. Barboza Flores, R. García
• Localización: Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 57, Nº. Extra 2, 2011 (Ejemplar dedicado a: VI International Topical Meeting on Nanostructured Materials and Nanotechnology, Nanotech 2009), págs. 7-9
• Idioma: inglés
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• Resumen
  • español

    Los nitruros del grupo III han generado aplicaciones importantes en los dispositivos optoelectrónicos. Principalmente el InGaN ha mostrado ser una aleación novedosa para el desarrollo de la iluminación de estado sólido y sistemas fotovoltáicos, ya que es posible controlar el ancho de su banda prohibida desde 3.4 eV a 0.7 eV con solo variar la concentración de indio. Sin embargo durante el crecimiento de las películas de InGaN aparecen defectos en el material debido a las diferencias entre los átomos indio y galio. En este trabajo se estudia el efecto de la concentración de indio en las propiedades del InGaN. Se reportan los resultados de las caracterizaciones ópticas y estructurales de las películas de In_(x)Ga_(1-x)N (0

  • English

    Nitrides of group III have generated important applications in optoelectronic devices. Principally InGaN is a novel alloy for the development of solid-state lighting and photovoltaic systems, since it is possible to control its bandgap from 3.4 to 0.7 eV by simply varying the indium concentration. However during the growth of InGaN inherent defects are obtained in the material, degrading its optical properties. In this work, the effect of the indium concentration is studied. The results of the optical and structural characterization of a series of In_(x)Ga_(1-x)N films (O