Influence of surface generation velocity and field-enhanced carrier generation on the measured generation lifetime and relaxation time constant in MOS structures

• Autores: P. Peykov, J. Carrillo, M. Aceves
• Localización: Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 49, Nº. 2, 2003, págs. 150-154
• Idioma: inglés
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• Resumen
  • español

    Los materiales semiconductores de alta calidad se caracterizan actualmente por tener tiempos de vida de generación en el intervalo de 10^(?3) - 10^(?2) segundos. Este hecho demanda hacer una reconsideración de la influencia que ciertos factores pueden tener en la correcta obtención del tiempo de vida de generación, con las técnicas de medición que actualmente se emplean. Particularmente, la velocidad de generación de superficie y la generación de portadores acrecentada por campo influyen en el tiempo de vida de generación y la constante de tiempo de relajación en estructuras MOS. En este trabajo se presenta un análisis de esta influencia. Se muestra cómo una interpretación simple de los datos experimentales puede generar un error considerable en la determinación de estos parámetros. La influencia de todos los factores debe ser tomada en cuenta.

  • English

    Today's high quality semiconductor materials are characterized with generation lifetimes in the range 10^(?3) - 10^(?2) sec. This requires reexamination of the influence of some factors on the correct extraction of generation lifetime with the measurement techniques used. Surface generation velocity and field-enhanced carrier generation influence on the measured generation lifetime and relaxation time constant in MOS structures. In the present work, analysis of this influence is presented. It is shown how a simple interpretation of the experimental data can introduce a large error in the determination of these parameters. The influence of all factors must be taken into account.