Resumen de Modelo analítico para el transporte electrónico en películas delgadas semiconductoras

M Torres Luengo, H. M. Martínez, N J Torres, L. D. López Carreño

• español

  Los semiconductores policristalinos son materiales que a menudo presentan propiedades eléctricas inusuales. En el modelo se supone que los cristales están formados por material semiconductor, el grano en sí, el cual está rodeado por material altamente desordenado y resistivo, la frontera de grano. La frontera de grano perturba la periodicidad estructural del cristal dando origen a estados electrónicos localizados en el interior de la brecha de energía prohibida. La existencia de estos estados favorece el atrapamiento de carga en las fronteras de grano y al doblamiento de las bandas de energía. Este doblamiento se caracteriza por un potencial de barrera y una zona de carga espacial, las cuales gobiernan el transporte electrónico a través de la frontera de grano. El modelo utiliza las teorías de difusión y deriva de portadores, de emisión termoiónica e incluye además, la teoría de tunelamiento cuántico de portadores a través de la barrera de potencial. Dado que la estructura de las películas delgadas de trióxido de Molibdeno (MoO3) obtenidas por atomización pirolítica es de tipo granular y de tamaño nanométrico, el modelo analítico explica el comportamiento de la característica Corriente - Voltaje (I-V) de las películas.PACS: 73.25.+i, 73.50.Gr, 73.61.CwMSC: 74K35, 82D37, 03C90 

• English

  Polycrystalline semiconductors are materials who often exhibit unusual electrical properties. In the model we assume that the crystals are composed of semiconductor material, the grain itself, which is surrounded by highly disordered and resistive materials, the grain boundary. The grain boundary disturbs the structural regularity of the crystal giving rise to localized electronic states within the energy gap. The existence of these states promotes the charge trapping at the grain boundaries and the bending of the energy bands. This bending is characterized by a potential barrier and a space charge zone which control the electron transport through the grain boundary. The model uses the diusion and drift carriers theories, and thermoionic emission, and the quantum tunneling of carriers through the potential barrier was also taken into consideration. Since the structure of the thin lms of molybdenum trioxide (MoO3) obtained through spray pyrolysis is granular and nanosize, the model described the behavior of the current-voltage characteristic (I-V) of the films.PACS: 73.25.+i, 73.50.Gr, 73.61.CwMSC: 74K35, 82D37, 03C90