Ferroelectricos integrados para aplicaciones de sensor y condensador

• Autores: A. Patel
• Localización: Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, ISSN 0366-3175, Vol. 37, Nº. 2, 1998, págs. 93-96
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Integrated Ferroelectrics for Sensor and Capacitor Applications
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• Resumen
  • español

    Los materiales ferroelectricos poseen un rango único de propiedades tales como alta constante dieléctrica, piroelectricidad y pie-zoelectricidad, que hacen posible diversas aplicaciones. La combinación de materiales ferroelectricos en forma de lámina delgada dentro del campo emergente del micromecanizado han producido nuevas y novedosas aplicaciones. Aunque hay distintas rutas disponibles para la fabricación de láminas delgadas, la vía de solución se presenta como el proceso más simple, compatible con el equipamiento de procesado existente para semiconductores. Esta ruta ofrece una escala de fabricación de obleas de bajo coste, con un potencial de funcionamiento mejorado. En GEC-Marconi Infra-Red Limited, los materiales con composiciones dentro de las soluciones sólidas de PZT (PbZr^Ti^_^03) se han estudiado sistemáticamente utilizando un método de deposición de recubrimien-to por rotación modificado, para aplicaciones de matrices piroeléctricas 2-D sin refrigeración y en condensadores desacoplados MCM-D. Adicionalmente, la utilizazión de técnicas, de Difracción de Rayos X (DRX), espectroscopia Auger y microscopía electró-nica de transmisión y de barrido (TEM, STEM) han proporcionado considerables aspectos a destacar sobre la determinación de la estructura, homogeneidad de la película, y energía de activación de la formación para la composición PZT (30/70) en particular.

  • English

    Ferroelectric materials have a unique range of properties such as high dielectric constant, pyroelectricity and piezoelectricity, which have enabled a host of diverse applications to be realized. The combination of ferroelectric materials as thin film with the develo-ping field of micromachining has led to new and novel device applications. Although there are several routes available for thin film fabrication, e.g: Solution, MOCVD, etc., the solution approach in particular appeals as a simple process compatible with exis-ting semiconductor processing equipment. This approach offers a route to low cost wafer scale fabrication, with potential for improved performance. At GMIRL, materials compositions within the PZT (PbZr^Ti|_^03) solid solution system have been syste-matically investigated using a modified spin-coating deposition method, for applications in 2-D uncooled pyroelectric arrays and in MCM-D decoupling capacitors. In addition, use of the techniques of X-ray diffraction (XRD), Auger Analysis (AES) and Transmission and Scanning Electron Microscopy (TEM/STEM) has given considerable in-sight into structure determination, film honaogeneity, and formation activation energy for the PZT (30/70) composition in particular.