Resumen de Propiedades funcionales de láminas delgadas ferroeléctricas de (Pb,La)Ti03

M. Algueró, M. L. Calzada, L. Pardo

• español

  Se discute la posibilidad de usar láminas delgadas de Pbp ggLag QgTiOg (PTL) preparadas por sol-gel sobre sustratos de Pt/Si en memorias de acceso aleatorio ferroeléctricas no volátiles (FÉRAM) y sensores piroeléctricos de infrarrojos. Con este fin, se realizan medidas de conmutación de la polarización con 3 y 5 V, de retención de la polarización y de fatiga, en dos tipos de láminas con distinta textura y microestructura. Se concluye que los valores de polarización conmutada con 5 V en láminas con orientación 001/100 y sin porosidad, después de aplicarles un tratamiento eléctrico de activación, son suficientes. Dichas láminas retienen la polarización durante 3, 4 meses. Sin embargo, la cinética de conmutación es lenta y presentan fatiga apreciable. En relación con su uso en sensores de infrarrojos, el mayor coeficiente piroeléctrico corresponde a láminas no texturadas con porosidad apreciable. Estas láminas tienen además una constante dieléctrica y una tangente de pérdidas menores, por lo que su respuesta en voltaje y su figura de mérito son muy superiores, y comparables a las de láminas depositadas en el mismo sustrato citadas en otros trabajos.

• English

  The possibility of using sol-gel prepared Pbg ggLag QgTiOg (PTL) thin films on Pt/Si substrates in non-volatile ferroelectric random access memories (FERAM) and pyroelectric infrared sensors is discussed. Measurements of polarization switching with 3 and 5 V, retain, and fatigue in films showing different texture and microstructure are accomplished. It is concluded that polarization swit-ched with 5 V in films showing a 001/100 orientation and no porosity, after being activated with an electrical treatment, is high enough. These films retain polarization during 3, 4 months. However, switching kinetics are slow and fatigue is significative. On the other hand, the highest pyroelectric coefficient is measured in non-textured porous films. Furthermore, the films dielectric cons-tant and the losses are smaller than those of other films, so their voltage responsivity and figure of merit are much better, and com-parable to those of films deposited on similar substrates cited by other authors.