Caracterizacion de capacitores MOS basados en películas de óxido de hafnio obtenidas a 150◦C

• S. Cerón ^[1] ; J. Hernández ^[1] ; M. A. Dolmínguez ^[2]
  1. [1] Facultad de Ciencias Qu´ımicas, Benemerita Universidad Aut ´ onoma de Puebla
  2. [2] Centro de Investigaciones en Dispositivos Semiconductores, Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Aut ´ onoma de Puebla, Puebla,
• Localización: Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 62, Nº. 6, 2016, págs. 600-603
• Idioma: español
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    En este trabajo, se describe la fabricación y caracterización de capacitores MOS con óxido de hafnio como dieléctrico obtenido a 150 ºC. La obtención de películas delgadas de óxido de hafnio se realizó mediante spin-coating con un tratamiento térmico a 150 ºC. Los capacitores MOS fueron caracterizados empleando mediciones de capacitancia vs. voltaje, capacitancia vs. frecuencia y corriente eléctrica vs. voltaje. Los resultados demuestran la viabilidad de la película de óxido de hafnio como dieléctrico en dispositivos electrónicos.

  • English

    The fabrication and characterization of MOS capacitors with Hafnium Oxide as dielectric obtained at 150 ºC is described. The Hafnium Oxide thin films were obtained by spin-coating. The MOS capacitors were characterized employing measurements of capacitance vs. voltage, capacitance vs. frequency and current vs. voltage. The results demonstrate the feasibility of Hafnium Oxide film as a dielectric in electronic devices.