Amplificadores de potencia para aplicaciones de microondas basados en dispositivos GaN

• Autores: Jorge Moreno Rubio, Edison Ferney Angarita Malaver, Norma Restrepo Burgos, Julián Leonardo Rodríguez, Juan Mauricio Salamanca, William Alexander Cuevas Carrero
• Localización: Ingeniería Investigación y Desarrollo: I2+D, ISSN-e 2422-4324, ISSN 1900-771X, Vol. 16, Nº. 1, 2016 (Ejemplar dedicado a: enero-junio de 2016), págs. 21-25
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • GaN-based Power amplifiers for microwave applications
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• Resumen
  • español

    Este artículo presenta una discusión sobre las estrategias de diseño de diferentes tipos de amplificadores de potencia para aplicaciones RF/Microondas, tales como el amplificador de carga sintonizada, Clase F, F inverso y Doherty. Además, se muestra la caracterización en onda continua de los amplificadores arriba mencionados, y una comparación de los resultados obtenidos, en términos de ganancia, eficiencia y potencia de salida.

  • English

    This paper presents a discussion about the design strategies of different kind of power amplifiers for RF/Microwave appli- cations, such as the tuned load power amplifier, class F, class F-1 and Doherty. Furthermore, it is shown the continuous wave characterization of the amplifiers above mentioned. A comparison between the obtained results, in terms of gain, efficiency and output power is presented.