Resumen de Efectos de las descargas electrostáticas (ESD) en estructuras de protección de circuitos integrados analizados mediante microscopia de emisión
Enrique Cordero, Juan Barbero Gonzalez, J. Soria
La microscopia de emisión permite la localización no destructiva de algunos tipos de fallos en circuitos VLSI . Los mecanismos de fallo que se pueden detectar con esta técnica son básicamente ruptura de oxidos de puerta, fatch-up y ruptura de uniones; en general defectos que inducen pequeñas corrientes de fuga.
Mediante esta técnica se han evaluado los efectos inducidos por descargas eletrostáticas (ESD) simuladas según el modelo del cuerpo humano (HBM), en estructuras de protección de circuitos integrados.
