Resumen de Tecnología H-GaAs II de Vitesse: especificaciones y reflexiones
Juan Antonio Montiel Nelson, Valentín de Armas Sosa, Jose Francisco López Feliciano, Tomás Bautista
En febrero del año 93, varios centros de investigación europeos entre los que se encontraba el Centro de Microelectrónica Aplicada (CMA), participaron en el primer proyecto Multichip Digital en Arseniuro de Galio (GaAs), llevado a cabo por medio del CMP francés, utilizando el proceso tecnológico H-GaAs II de Vitesse. En este artículo pretendemos realizar una presentación de esta tecnología, así como una serie de discusiones en torno a los márgenes de ruido, tiempos de propagación y potencia estática. Sobre esta discusión se presenta un nuevo enfoque en la investigación de relaciones entre dimensiones y tiempos de propagación de la familia lógica DCFL.
