Láminas delgadas ferroeléctricas de titanato de plomo modificado con un 20% de lantano

• Autores: M. Algueró, M. L. Calzada, L. Pardo
• Localización: Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, ISSN 0366-3175, Vol. 38, Nº. 5, 1999, págs. 468-471
• Idioma: español
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    Se han preparado láminas delgadas ferroeléctricas de titanato de Pb modificado con un 20% de La, Pb0.7TiO3, por una técni La0.2ca sol-gel basada en la ruta de los dioles. Se ha variado el contenido inicial de PbO, del nominal a un exceso del 20% molar; y la velocidad de calentamiento en el tratamiento térmico de cristalización a 650oC, de 10oC min-1 a más de 500oC min-1, y estudiado su efecto en la microestructura, estructura y composición de las láminas. No es posible obtener láminas monofásicas con el tratamiento con 10oC min-1, aun compensando la volatilización de PbO con un exceso inicial del 20% molar. Sí lo es con tratamiento rápido manteniendo dicho exceso de PbO. Estas últimas láminas presentan una permitividad dieléctrica a temperatura ambiente de ε =700, y una variación entre ambiente y 100oC de Δε = 75, parámetros muy interesantes para memorias DRAMs.

  • English

    Lanthanum modified lead titanate ferroelectric thin films with a composition Pb0.7TiO3 have been prepared by a diol La0.2based sol-gel technique. The effect on the film structure, microstructure and composition of the initial PbO content, from the nominal value to an excess of 20 mole%, and of the heating rate of the thermal treatment of crystallisation at 650oC, from 10oC min-1 to more than 500oC min-1, has been studied. It is not possible to obtain single phase films with the treatment at 10oC min1, even when PbO volatilisation is compensated with an initial excess of PbO of 20 mole%. It is possible with the treatment at more than 500oC min-1 and the latter excess of PbO. These films present a relative dielectric permittivity at room temperature of ε = 700, and a variation between room temperature and 100oC of Δε = 75, being both parameters very interesting for DRAMs.