Efecto de la incorporación de fósforo en la microestructura y propiedades eléctricas del BaTi03 cerámico

• Autores: Amador C. Caballero, José Francisco Fernández Lozano, Pedro Durán Martín, Carlos Moure
• Localización: Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, ISSN 0366-3175, Vol. 32, Nº. 3, 1993, págs. 169-174
• Idioma: español
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    La presencia del catión fósforo retrasa la formación del BaTi03 en las primeras etapas de la reacción de síntesis, favoreciendo la aparición de Ba2Ti04. La reacción se completa a 1150**C. El polvo obtenido tiene un tamaño de grano promedio inferior a l|x. Se obtuvieron barras mediante prensado isostático y se sinterizaron en el rango de temperaturas comprendido entre 1200 y 1400''C. Los ensayos dilatométricos mostraron dos mecanismos de sinterización que se vieron confirmados por los ensayos isotérmicos. La microestructura de los materiales sinterizados a temperaturas más bajas difiere de las que presentan aquellos sinterizados a temperaturas superiores. Las muestras sinterizadas a 1325 y 1350"C presentan un valor de permitividad dieléctrica muy elevado. Las altas pérdidas dieléctricas sugieren la existencia de un comportamiento semiconductor asociado a la presencia de fósforo.

  • English

    Phosphor cation retards the BaTi03 formation during the first reaction stages, and favours the Ba2Ti04. appearance. The reaction is accomplished at 1150"C. Average grain size of the obtained powder was l|j.. Isopressed bars were sintered in the 1200-1400"C temperature range. The dilatometric measurements showed two shrinkage mechanisms, which were confirmed by isothermal essays. Microstructural development at low sintering temperatures differs from those of the higher ones. Very high permittivity values w^ere measured for 1325-1350**C sintered samples. Measured high dielectric losses point out to the existence of a semiconducting behavior associated to the phosphor presence.