Efectos electro-ópticos en cristales con estructura de Zincblenda.
- Autores: S.E. Acosta Ortiz
- Localización: Óptica pura y aplicada, ISSN-e 2171-8814, Vol. 26, Nº. 1, 1993, págs. 138-151
- Idioma: español
- Títulos paralelos:
- Electro -Optic effects in zincblende crystals
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Resumen
Se han observado anisotropías ópticas en la reflectividad de GaAs (001) Y (110), las cuales se atribuyen a efectos electro-ópticos lineales y cuadráticos, respectivamente. Los experimentos fueron realizados utilizando la técnica de reflectividad-diferencial (RD), en cristales de GaAs con diferentes concentraciones de impurezas y tanto tipo-n como tipo-p. Mediante un modelo teórico simple, es posible determinar los coeficientes electro-ópticos lineales del semiconductor a partir de mediciones de anisotropías. El modelo es aplicable a cualquier semiconductor con estructura de zincblenda. Se presentan resultados experimentales para GaAs (001) y (110) Y el desarrollo teórico general para las caras (001) y (110) de cristales con estructura de zincblenda.
