P. Prieto, D. Araújo, M. E. Gómez, M. Chacón, E. Solarte
Para las futuras aplicaciones electrónicas de los superconductores de alta temperatura es necesario producir estructuras del tipo superconductor-aislante-suerconductor, SIS, en las cuales se tenga junturas que permitan la elaboración de diodos tunel o junturas Joshepson. Usando un sistema de suttering DC y un conjunto de máscara de MgO, hemos elaborado y caracterizado heteroestructuras conformadas por películas delgadas epitaxiales superconductoras de YBa2Cu3O7 y películas ultradelgadas semiconductoras de PrBa2Cu3O7.
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