Dispositivo láser semiconductor con puntos cuánticos para emisión en el cercano infrarrojo

• J.V. González-Fernández ^[1] ; R. Díaz de León-Zapata ^[1] ; I. Lara-Velázquez ^[1] ; J. Ortega-Gallegos ^[2]
  1. [1] Tecnológico Nacional de México

     Tecnológico Nacional de México

     México

     
  2. [2] Universidad Autónoma de San Luis Potosí

     Universidad Autónoma de San Luis Potosí

     México

     
• Localización: Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 65, Nº. 1, 2019, págs. 43-48
• Idioma: español
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  • español

    En este trabajo se reporta la fabricación de un dispositivo láser de semiconductores III-V de confinamiento separado. La heteroestructura se creció usando la técnica de epitaxia por haces moleculares y se caracterizó óptica, topográfica y eléctricamente por medio de fotoluminiscencia, microscopia de tunelamiento, electroluminiscencia, relaciones de corriente-voltaje y corriente-potencia, respectivamente. El confinamiento electrónico es llevado a cabo por un emparedamiento del área activa con pozos cuánticos de InGaAs con una composición que permite un acople estructural entre el pozo cuántico y los puntos cuánticos autoensamblados de InAs disminuyendo las dislocaciones que darían lugar a una mala calidad del dispositivo. El objetivo es obtener una emisión láser en las ventanas de menor absorción de las fibras ópticas situadas en el cercano infrarrojo en las que se basan los sistemas de telecomunicación.

  • English

    In this work the fabrication of III-V semiconductor laser device with separate confinement is reported. The heterostructure was grown by molecular beam epitaxy technique and it was characterized by optical, morphological and electrical techniques such as photoluminescence, scanning tunneling effect, electroluminescence, current-voltage and current-power relations, respectively. The electronic confinement was carried out by sandwiching the active area with InGaAs quantum well with an appropriated Indium composition that allows a structural coupling between quantum wells and self-assembled InAs quantum dots decreasing dislocations that could commit the device quality. Our aim is to obtain the laser emission in the lower absorption windows for optical fiber telecommunications systems located in the near-infrared.