Estructura metal-semiconductor-metal en equilibrio

• F. Urbano Altamirano ^[2] ; O. Yu Titov ^[1] ; Yu. G Gurevich ^[2]
  1. [1] Instituto Mexicano del Petróleo

     Instituto Mexicano del Petróleo

     México

     
  2. [2] CINVESTAV del I.P.N, Ciudad de México, México
• Localización: Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 66, Nº. 5, 2020, págs. 559-567
• Idioma: español
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• Resumen
  • español

    En este artículo se analiza el comportamiento de los portadores de carga eléctrica (electrones y huecos) en un material semiconductor con contactos metálicos bajo la condición de equilibrio termodinámico. Se obtuvieron expresiones para las concentraciones de los electrones y huecos, así como para el Radio de Debye (r_(D)) tanto en el caso general bipolar, como para los casos particulares de materiales tipo n, p e intrínseco. Con base a las expresiones anteriores se analiza el caso cuando aparece el fenómeno de cuasineutralidad en un material semiconductor.

  • English

    This article analyzes the behavior of electric charge carriers (electrons and holes) in a semiconductor material with metal contacts under the thermodynamic equilibrium condition. Expressions were obtained for the concentrations of the electrons and holes, as well as for the Debye Radius (rD) both in the general bipolar case, and in the particular cases of n, p and intrinsic type materials. Based on the previous expressions, the case is analyzed when the quasi-neutrality phenomenon appears in a semiconductor material.