Efectos estructurales en el semiconductor insb, por la aplicación de diferentes métodos de presión

• Miryam R Joya ^[1] ; José J. Barba ^[1] ; Paulo S. Pizani ^[2]
  1. [1] Universidad Nacional de Colombia

     Universidad Nacional de Colombia

     Colombia

     
  2. [2] Universidade Federal de São Carlos

     Universidade Federal de São Carlos

     Brasil

     
• Localización: DYNA: revista de la Facultad de Minas. Universidad Nacional de Colombia. Sede Medellín, ISSN 0012-7353, Vol. 79, Nº. 175, 2012, págs. 137-141
• Idioma: español
• Títulos paralelos:
  • Structural effects in the semiconductor insb by the application of different methods of pressure
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• Resumen
  • español

    En este trabajo se estudia las modificaciones sufridas por el Antimoneto de Indio (InSb), crecido en la dirección [100], cuando es sometido a testes de micro-indentación mecánica, altas presiones hidrostáticas y presión por impacto. Los estudios topográficos y tomográficos de las muestras fueron hechos por medio de espectroscopia micro-Raman con diferentes longitudes de onda de la luz de excitación. El corrimiento de la posición de los fonones y el surgimiento de nuevos picos Raman permite el análisis tanto químico como estructural del sistema en estudio

  • English

    This paper studies the modifications suffered by the Indium Antimonnide (InSb), grown in the [100], when subjected to mechanical tests of micro-indentations, high hydrostatic pressure and pressure impact. Tomographic surveying and samples were made by micro-Raman spectroscopy with different wavelengths of excitation light. The shift of the position of the phonons and the emergence of new Raman peaks allow both chemical and structural analysis of the system