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Deposición convectiva rápida a escala nanométrica de materiales compuestos activos para la fabricación de transistores orgánicos de efecto de campo

    1. [1] Universidad Técnica de Ambato

      Universidad Técnica de Ambato

      Ambato, Ecuador

    2. [2] Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona

      Instituto de Ciencia de Materiales de Barcelona

      Sardañola del Vallés, España

  • Localización: Ingenius: Revista de Ciencia y Tecnología, ISSN 1390-650X, ISSN-e 1390-860X, Nº. 26, 2021 (Ejemplar dedicado a: julio-diciembre), págs. 9-16
  • Idioma: español
  • Títulos paralelos:
    • Rapid Convective Deposition at Nanoscale of Active Composite Materials for the Manufacture of Organic Field-Effect Transistors
  • Enlaces
  • Resumen
    • español

      Transistores orgánicos de efecto de campo basados en un material compuesto han sido fabricados por medio de la técnica de deposición convectiva rápida. La fabricación fue llevada a cabo bajo condiciones ambientales (aire, luz y humedad). En todos los casos, los transistores fabricados muestran un claro comportamiento de efecto de campo con características de semiconductor tipo-p, y exhiben movilidades en el orden de 10-2 cm2/V.s, totalmente comparables con transistores obtenidos por evaporación térmica del mismo material activo. La técnica de deposición demuestra que se pueden obtener dispositivos con alta reproducibilidad y que en todos los casos muestran una baja tensión umbral de alrededor 1 V. Por lo tanto, se demuestra que la deposición convectiva rápida puede ser usada para la fabricación de transistores orgánicos de efecto de campo sobre áreas amplias, con indicadores de reproducibilidad entre dispositivos y alta estabilidad en condiciones ambiente.

    • English

      Organic field-effect transistors based on composite materials has been manufactured using the rapid convective deposition technique. The manufacturing was carried out under environmental conditions (air, light and humidity). All manufactured transistors show a typical field-effect behavior with features of a p-type semiconductor, and exhibit field-effect mobilities around 10-2 cm2/V.s, fully comparable with transistors manufactured using thermal evaporation of the same active material. The deposition technique demonstrates that devices may be manufactured with high reproducibility and in all cases with a low threshold voltage of approximately 1V. Therefore, it is demonstrated here that rapid convective deposition can be used to manufacture organic field-effect transistors on large surface areas, showing high reproducibility among devices and high stability at environmental conditions.


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