Charge transport in 1D silicon devices via Monte Carlo simulation and Boltzmann-Poisson solver

• Autores: A. Majorana, C. Milazzo, O. Muscato
• Localización: Compel: International journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering, ISSN 0332-1649, Vol. 23, Nº 2, 2004, págs. 410-425
• Idioma: inglés
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