InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors with low-resistance contact on heavily doped InP emitter layer

• Autores: B. D. Moonjung Kim, B. D. Choul-Young Kim
• Localización: Applied physics letters, ISSN 0003-6951, Vol. 84, Nº. 15, 2004, págs. 2934-2936
• Idioma: inglés
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