Influence of a carrier supply layer on carrier density and drift mobility of AlGaN/GaN/SiC high-electron-mobility transistors

• Autores: P. Kordo, M. Marso, P. Javorka, J. Bernát
• Localización: Applied physics letters, ISSN 0003-6951, Vol. 84, Nº. 15, 2004, págs. 2928-2930
• Idioma: inglés
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