Dual insulated-gate field-effect transistors with cadmium sulfide active layer and a laminated polymer dielectric

• Autores: S. G. Zane, J. S. Meth, G. Nunes Jr.
• Localización: Applied physics letters, ISSN 0003-6951, Vol. 84, Nº. 15, 2004, págs. 2922-2924
• Idioma: inglés
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