Current transport mechanisms and their effects on the performances of InP-based double heterojunction bipolar transistors with different base structures

• Autores: W. Prost, S. Neumann, F. J. Tegude
• Localización: Applied physics letters, ISSN 0003-6951, Vol. 84, Nº. 15, 2004, págs. 2910-2912
• Idioma: inglés
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