Low Energy Electron Irradiation Induced Deep Level Defects in 6H-SiC: The Implication for the Microstructure of the Deep Levels E~1/E~2

• Autores: C. L. Yang, X. D. Chen
• Localización: Physical review letters, ISSN 0031-9007, Vol. 92, Nº. 12, 2004, pág. 125504
• Idioma: inglés
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