Electrical and optical properties of p-GaN films implanted with transition metal impurities

• Autores: A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov
• Localización: Journal of physics: Condensed matter, ISSN 0953-8984, Nº. 17, 2004, págs. 2967-2972
• Idioma: inglés
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